FB31N20D, tam adıyla IRFB31N20D, güçlü bir N-kanal HEXFET güç MOSFET’tir ve TO-220 kılıfında sunulur. Otomobil elektroniği gibi yüksek akım ve voltaj gerektiren uygulamalarda oldukça tercih edilen bir bileşendir.
⚙️ Teknik Özellikler – IRFB31N20D
| Özellik | Değer |
|---|
| Tip | N-Kanal HEXFET MOSFET |
| Kılıf | TO-220AB |
| VDS (Drain-Source Gerilimi) | 200 V |
| ID (Sürekli Akım) | 31 A |
| RDS(on) (Direnç) | 82 mΩ (max @10V gate) |
| Gate Charge (Qg) | 70 nC |
| Güç Tüketimi (PTOT) | 200 W |
| Çalışma Sıcaklığı | −55°C ~ +175°C |
Kaynak: Infineon ürün sayfası, Karaköy Elektronik ürün bilgisi
🔧 Kullanım Alanları
- Oto ses sistemleri: Yüksek akım anahtarlama
- Akü bağlantı modülleri: Geri besleme koruması
- Motor sürücü devreleri: PWM kontrollü uygulamalar
- DC-DC konvertörler: Yüksek verimli güç dönüşümü
- Röle yerine MOSFET kullanımı: Sessiz ve hızlı anahtarlama
📌 Teknik Avantajlar
- Yüksek akım taşıma kapasitesi sayesinde oto elektroniğinde güvenilir
- Düşük RDS(on) ile daha az ısı üretimi
- TO-220 kılıfı, kolay soğutucu montajı ve yüksek termal dayanım
- Avalanche rated: Ani voltaj yükselmelerine karşı dirençli
English (UK)
