IRF1010, TO-220 kılıfında sunulan bir N-kanal HEXFET güç MOSFET’tir. Özellikle yüksek akım, düşük RDS(on) ve hızlı anahtarlama gerektiren uygulamalarda tercih edilir. Bu özellikleri sayesinde DC motor sürücüleri, güç kaynakları, batarya yönetimi ve endüstriyel anahtarlama sistemleri gibi alanlarda kullanılır.
⚙️ Teknik Özellikler – IRF1010E (TO-220AB)
| Özellik | Değer |
|---|
| Tip | N-Kanal HEXFET MOSFET |
| Kılıf | TO-220AB |
| VDSS (Drain-Source Gerilimi) | 60V |
| ID (Sürekli Drain Akımı, 25°C) | 84A |
| IDM (Tepe Drain Akımı) | 330A |
| RDS(on) (Açıkken Direnç) | 12 mΩ |
| VGS(th) (Gate Eşik Gerilimi) | 2.0V – 4.0V |
| Qg (Toplam Gate Yükü) | 130 nC |
| Tj (Çalışma Sıcaklığı) | –55°C ~ +175°C |
| PD (Güç Tüketimi) | 200W (soğutma ile) |
Kaynak: Infineon IRF1010E datasheet PDF
📌 Kullanım Alanları
- 🔋 Yüksek akımlı DC-DC dönüştürücüler
- ⚙️ Motor sürücü devreleri
- 🔌 Güç anahtarlama sistemleri
- 🔁 Batarya şarj/deşarj kontrolü
- 🔊 Ses amplifikatörlerinde çıkış katı
💡 Tasarım Notları
- Düşük RDS(on) sayesinde ısı üretimi azdır, verimlilik yüksektir.
- Gate yükü yüksek olduğu için sürücü devresi güçlü olmalıdır (örneğin IR2110 gibi).
- TO-220 kılıfı sayesinde soğutucu bağlanabilir; yüksek akımda mutlaka kullanılmalıdır.
- 60V sınırı nedeniyle yüksek voltajlı uygulamalarda dikkatli olunmalıdır.
English (UK)
