IRFB52N15D, otomobil elektroniği gibi yüksek akım ve voltaj gerektiren uygulamalarda oldukça güçlü bir N-kanal HEXFET güç MOSFET’tir. TO-220 kılıfı sayesinde hem montaj kolaylığı hem de yüksek termal dayanım sunar.
⚙️ Teknik Özellikler – IRFB52N15D
| Özellik | Değer |
|---|
| Tip | N-Kanal HEXFET MOSFET |
| Kılıf | TO-220AB |
| Drain-Source Gerilimi (VDS) | 150 V |
| Sürekli Akım (ID) | 51 A |
| RDS(on) (Direnç) | 32 mΩ (max @10V gate) |
| Gate Charge (Qg) | 60 nC |
| Toplam Güç (PTOT) | 320 W |
| Çalışma Sıcaklığı | −55°C ~ +175°C |
| Avalanche Rated | Evet (yüksek voltaj darbelerine dayanıklı) |
🔧 Uygulama Alanları
- Oto ses sistemleri: Yüksek akım anahtarlama
- Motor sürücü devreleri: PWM kontrollü uygulamalar
- DC-DC konvertörler: Güç dönüşüm modülleri
- Akü bağlantı ve koruma devreleri
- Röle yerine MOSFET kullanımı: Sessiz ve hızlı anahtarlama
📌 Teknik Avantajlar
- Yüksek akım taşıma kapasitesi ile oto elektroniğinde güvenilir
- Düşük RDS(on) sayesinde daha az ısı üretimi
- TO-220 kılıf, soğutucu montajı için ideal
- Düşük gate yükü, hızlı anahtarlama sağlar
- Avalanche dayanımı, akü kaynaklı ani voltaj yükselmelerine karşı koruma sunar
English (UK)
